Физика атомного реактора Сопротивление материалов Математика решение задач Информатика Атомная энергетика безопасность Электротехника и электроника

Общий принцип действия и конструкции электрических машин Полупроводниковая электроника Трехфазный ток Принцип работы асинхронного двигателя Соединение нагрузки треугольником Полупроводниковые транзисторы


Варикап

 Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости  – перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

В качестве полупроводникового материала для изготовления варикапов служит кремний. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения показана на рисунке 13.6а.

Основными параметрами варикапа являются:

общая емкость, ;

максимальное значение обратного напряжения, ;

коэффициент перекрытия по емкости, ;

температурный коэффициент емкости, 

где номинальная емкость.

 


 Рис. 13.6

 Варикапы применяют в системах дистанционного управления и автоматической подстройки частоты и в параметрических усилителях с малым уровнем собственных шумов. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды. В этих трех типах диодов используется эффект взаимодействия оптического излучения (видимого, инфракрасного или ультрафиолетового) с носителями заряда (электронами и дырками) в запирающее слое   – перехода.

В последнее время появились еще два типа диодов: магнитодиод и тензодиод.

 Магнитодиод – полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт – амперной характеристики под действием магнитного поля.

  Тензодиод – полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт – амперной характеристики под действием механических деформаций.

13.6. Основные технические параметры полупроводниковых диодов

 Характеристики полупроводниковых диодов зависят от температуры. Поэтому их мы можем использовать в определенных температурных пределах. Например, для германиевых диодов – от 60 до 700 С, а для кремниевых диодов от 60 до 1200 С .

 Полупроводниковые диоды характеризуются следующими параметрами: 

 1) высота вольт – амперной характеристики,  ;

2) внутреннее сопротивление для переменного тока,

сопротивление для постоянного тока,  ;

коэффициент выравнивания, , где R0пр значение прямого сопротивления равна нескольким Ом, а величина R0обр обратного сопротивления сравнительно очень высокое, но не беспредельное.

5) Iпр прямой ток – это ток протекающий через диод от положительного полюса к отрицательному;

6) выпрямленный т.е постоянный ток – это постоянная составляющая пульсационного тока или же средняя величина выпрямленного тока;

7) максимальная амплитуда выпрямленного тока. Величина выпрямленного тока приблизительно  составляет 30% его амплитудного значения.

8) Iобр обратный ток ток проходящий через диод в случае подачи обратного напряжения.

9) максимальная амплитуда обратного напряжения сохранение нормального состояния диода при котором пробои невозможны, есть величина обратного напряжения. Величина такого обратного напряжения составляет примерно от 25 В до 600 В. Любому диоду нельзя подавать обратное напряжение выше своей величины, указанного в технической характеристике.

Контрольные вопросы

1. Расскажите о полупроводниковых диодах.

 2. В чем заключается особенности выпрямляющих диодов?

3. Рассказать о принципе работы стабилитронов, используемых для установления напряжения диодов.

4. Расскажите о туннельных диодах.

5. Объясните принцип действия импульсных диодов.

6. Расскажите об основных технических параметрах полупроводниковых диодов.

Изображение синусоидальных функций времени (напряжение, сила тока, мощность) векторами на комплексной плоскости Расчет сложной разветвленной цепи может быть существенно упрощен, если заменить синусоидальные токи и напряжения векторами, расположенными на комплексной плоскости. Такой метод получил название метода комплексных амплитуд.
Функциональная классификация интегральных микросхем