Физика атомного реактора Сопротивление материалов Математика решение задач Информатика Атомная энергетика безопасность Электротехника и электроника

Общий принцип действия и конструкции электрических машин Полупроводниковая электроника Трехфазный ток Принцип работы асинхронного двигателя Соединение нагрузки треугольником Полупроводниковые транзисторы


Тиристоры

 Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя (или более) переходами, вольтамперная характеристика которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением и который используется для переключения.

 Как диодный, так и триодный тиристоры имеют четырехслойную полупроводниковую структуру  с тремя переходами (рис. 14.12). Самый крайний слой выполняет функцию анода, а n слой катода.

 


 Рис. 14.12

Динистор это тиристор с двумя электродами (выводами). Переход динистора из одного состояния в другое осуществляется изменением значения или полярности напряжения на выводах. Триодный тиристор (тринистор) имеет дополнительно третий (управляющий) электрод. Управляющий электрод позволяет с помощью небольшого сигнала управления (импульса напряжения) перевести тиристор из закрытого состояния в открытое при неизменном (заданном) напряжении на основных электродах. Обратный переход из открытого состояния в закрытое с помощью управляющего напряжения невозможен. 

 Рис. 14.13

При повышении напряжения Uпр (что достигается увеличением э.д.с. источника питання) ток тиристора увеличивается незначительно, пока напряжение Uпр не приблизиться к некоторому критическому значению, равному напряжению Uвкл (рис. 14.13).

 Четырехэлектродные  полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой называют тетристорами или бинисторами. Их вольтамперные характеристики по принципу действия схожи с динистором или тринистором. На рисунке 14.14 показаны схемы включения тристора в качестве динистора (рис. 14.14 а) также как тринистор (рис. 14.14б)

 


 Рис. 14.14

14.9. Области применения транзисторов и тиристоров

 Транзисторы и тиристоры оказались экономически эффективными при замене электронно вакуумных устройств, их применение дало возможность решить ряд новых задач в электронике и приборостроении.

 Следует отметить, что во многих случаях схемы с одним и тем же функциональным назначением могут быть собраны как на транзисторах, так и на тиристорах.

 Транзисторы и тиристоры находят применение в проводной связи и радиосвязи, в телевидении и радиолокации, в радионавигации, автоматике и телемеханике, в вычислительной и измерительной технике. Все отрасли современного народного хозяйства: промышленность и сельское хозяйство, транспорт и связь, энергетика и наука, медицина и бытовая техника требуют постоянного расширения ассортимента и увеличения количества полупроводниковых приборов.

 Особой областью применения мощных и сверхмощных тиристоров является электроэнергетика. Возможность создания малогабаритных, надежных и экономичных статических преобразователей любых параметров тока открывает огромные перспективы для дальнейшего совершенствования систем передачи и распределения электроэнергии, управления электроприводом и другими электротехническими устройствами.

Контрольные вопросы:

1. Рассказать о полупроводниковых транзисторах и о их типах.

2. Расскажите о методах включения транзисторов в электрическую схему.

3. Объясните вольтамперную характеристику биполярных транзисторов.

4. Сделайте расчет   параметра биполярных транзисторов.

5. Какие транзисторы называют дрейфовыми?

6. Объясните принцип работы полевых транзисторов.

7. Объясните принцип работы полевых транзисторов с изолированным затвором.

8. Объясните принцип работы тристоров приборы служащие для переключения.

9. Как можно изготовить тетристор или бинистор?

 10. В каких отраслях применяют транзисторы и тиристоры.

Изображение синусоидальных функций времени (напряжение, сила тока, мощность) векторами на комплексной плоскости Расчет сложной разветвленной цепи может быть существенно упрощен, если заменить синусоидальные токи и напряжения векторами, расположенными на комплексной плоскости. Такой метод получил название метода комплексных амплитуд.
Функциональная классификация интегральных микросхем