Физика атомного реактора Сопротивление материалов Математика решение задач Информатика Атомная энергетика безопасность Электротехника и электроника

Общий принцип действия и конструкции электрических машин Полупроводниковая электроника Трехфазный ток Принцип работы асинхронного двигателя Соединение нагрузки треугольником Полупроводниковые транзисторы


Эмиттерный повторитель

Между усилителями надо включать каскады передачи сигнала, которые обладают большим входным сопротивлением.

Таким каскадом является эмиттерный повторитель напряжения (прииспользовании биполярных транзисторов) и истоковый повторитель напряжения (при использовании полевых транзисторов). Сопротивление нагрузки у этих устройств включено соответственно в цепь эмиттера или в цепь истока.

Эмиттерные повторители, кроме большого входного сопротивления, имеют малое выходное сопротивление, что во многих случаях полезно, однако коэффициент передачи по напряжению этих устройств несколько меньше единицы. По напряжению они не усиливают.


 Рис. 15.25 Рис. 15.26

Принципиальная схема однокаскадного эмиттерного повторителя приведена на рис. 15.24, а двухкаскадного приведена на рис. 15.26.

Рассмотренные повторители позволяют согласовать по напряжению высокоомный генератор с большим внутренним сопротивлением с низкоомной нагрузкой, т. е. обеспечить передачу напряжения от генератора к нагрузке. Повторители применяются также в схемах, где требуется согласование по мощности.

15.5. Усилители радиочастоты и промежуточной частоты

15.5.1. Резонансные усилители

  При усилении радиочастотных колебаний в качестве сопротивления нагрузки транзистора можно использовать параллельный колебательный контур, настроенный в резонанс с частотой усиливаемых колебаний. Такой усилитель называется резонансным или избирательным.

  Принципиальная схема усилителя радиочастоты на транзисторе изображена на рис. 15.27. При отклонении от резонансной частоты  модуль импеданса уменьшается, и модуль коэффициента усиления падает. АЧХ усилителя приведена на рис. 15.9.



 Рис. 15.27 Рис. 15.28 Рис. 15.29

В усилителях радиочастоты на биполярных транзисторах для уменьшения шунтирования контура LC выходным сопротивлением транзистора  используют «неполное» включение контура (рис. 15.27). В этом случае транзистор подключается к части катушки индуктивности и слабо влияет на резонансные свойства нагрузки, ее добротность Q и полосу . Неполное включение можно использовать и для ослабления шунтирующего действия входного сопротивления  следующего каскада.

Резонансный усилитель, применяемый для усиления в узкой полосе частот, имеет ряд преимуществ по сравнению с резисторным:

входная емкость, емкость соединительных проводников и выходная емкость компенсируются настройкой контура в резонанс, поэтому сопротивление нагрузки, равное эквивалентному сопротивлению контура, может быть большим и обеспечивает большое усиление;

на сопротивлении нагрузки нет падения постоянного напряжения, поэтому сопротивление нагрузки можно выбирать очень большим.

15.5.2. Полосовые усилители

Полосовым усилителем называется усилитель с амплитудно частотной характеристикой, близкой к прямоугольной (рис. 15.8).

При использовании связанных контуров АЧХ усилителя оказывается близкой к идеальной П образной характеристике (рис. 15.29). Такие усилители широко используются в высококачественных радиоприемниках для усиления промежуточной частоты. Поэтому они и носят название «усилители промежуточной частоты». Принципиальная схема такого усилителя с неполным включением биполярного транзистора и следующего каскада приведена на рис. 15.28.

Полосовые усилители чаще всего работают на фиксированных частотах и не перестраиваются. Обычно они имеют один или два колебательных контура в каждом каскаде. Применяются также фильтры сосредоточенной избирательности.

Основы символического (комплексного) метода расчета цепей синусоидального тока Этот метод позволяет перейти от дифференциальных уравнений, составленных для мгновенных токов, напряжений и т.д., к алгебраическим уравнениям, составленным для соответствующих им комплексных изображений.
Функциональная классификация интегральных микросхем